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Am29BDD160G
数据表
对于新的设计, S29CD016G取代Am29BDD160G ,是厂家推荐的迁移
路径此设备。请参阅S29CD016G数据表的规格和订购Infor公司
息。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。尽管DOC-输稿
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新时会发生
Appro公司- priate ,并更改将记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
24960
调整
D
修订
5
发行日期
2006年6月7日
这页有意留为空白。
数据表
Am29BDD160G
16兆位( 1一M× 16位/ 512的K× 32位) , CMOS 2.5伏只突发模式,
双启动,同步读/写闪存
注:对于新的设计, S29CD016G取代Am29BDD160G ,是工厂推荐的迁移路径,此设备。请参阅S29CD016G数据表规范
tions和订购信息。
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行。
( -40 ° C至85°C , 56 MHz和下面只)
•读取和写入操作之间的零延迟
- 两个银行的体系结构: 75 % / 25 %
用户定义的X16或X32数据总线
双引导块
- 顶部和底部引导,在同一个设备
灵活的部门架构
- 8个8字节, 30字节64和8个8字节
扇区
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (担保硅)扇区(256字节)
- 当前版本的设备有64个字节;未来
版本将有256个字节
工厂锁定和识别:
16字节的安全,
随机出厂的电子序列号;其余
可客户数据编程,通过AMD
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
可编程突发接口
- 接口的任何高性能的处理器
- 对突发读操作模式:
线性突发: 4个双字( X32 ) , 8个字( X16 )
和双字( X32 ) ,和32个字( X16 )与
环绕
单电源工作
- 优化的2.5至2.75伏读,擦除和
方案业务
兼容JEDEC标准( JC42.4 )
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能的读取访问权限
- 初始/随机存取时间快54纳秒
- 突发存取时间快9纳秒的球栅阵列
超低功耗
- 突发模式读90毫安, 66 MHz的最大
- 编程/擦除: 50mA以下
- 待机模式: CMOS : 60 μA(最大值)
每次保证至少1百万次写周期
扇形
20年的数据保存在125°C
VersatileI / O
TM
控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
- 1.65 V至2.75 V兼容的I / O信号
软件特点
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
部门(只需要V
CC
级别)
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
使用用户定义的64位密码界
支持通用闪存接口( CFI )
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
硬件特性
程序挂起/恢复&删除
暂停/恢复
- 挂起编程或擦除操作,使
读取,编程或擦除在同一家银行
硬件复位( RESET # ) ,就绪/忙# ( RY / BY # ) ,
和写保护( WP # )输入
ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
封装选项
- 80引脚PQFP
- 80 - ball加固BGA
出版#
24960
启:
D
修订:
5
发行日期:
2006年6月7日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29BDD160
16兆位, 2.5伏,只
SIN-
GLE电源
供应爆
模式闪速存储器装置。
该设备可以
be
配置为1,048,576
WORDS
in
16位模式或524,288个双字
in
32-bit
模式。该设备可以
也可以
程序
in
标准
EPROM编程器。该器件提供
a
CON连接可配置
突发接口
16位/ 32位microproces-
感器和
微控制器。
消除
公共汽车
争用,每个设备具有
芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )
输出恩
ABLE
( OE # )控制。额外的控制
输入是
quired
同步突发
操作:负载突变
地址有效( ADV # ) ,
时钟(CLK) 。
只有每个设备都需要
a
单身
2.5或2.6伏
动力
供应
( 2.5 V至2.75 V)的
功能。 12.0伏V
PP
is
不需要的程序
或擦除操作,
虽然加速
is
如果可用
更快的编程性能
is
quired 。
设备
is
完全是命令
SET
兼容
JEDEC
单电源
FL灰
标准。
软件
命令
兼容
命令
在5 V Am29F的
和3
V Am29LV
闪存系列。命令
写入命令
注册
使用标准
微处理器写时序。
寄存器的内容
作为输入
to
内部
状态机
用于控制擦除
编程
明电路。写周期
内部也
LATCH
AD-
礼服
所需的编程数据
擦除操作。读数据从装置中
is
类似
从其他闪存读取或DE- EPROM
恶习。
解锁绕道
模式有利于更快的编程
明朝时代
by
只需要两个写周期来亲
GRAM数据
代替
四。
同时
读/写架构
提供
同时
手术
by
除内存
空间
INTO
银行。
该设备可以
开始
编程或
删除
in
银行和
然后
同时
从另一
银行,
零延迟。此版本
系统
从等待完成程序的
或擦除操作。
同时见
读/写
操作概述
限制13页。
该装置提供
a
256-byte
SecSi
(安全
硅)行业
an
一次性可编程
( OTP)的机制。
In
此外,
该设备的特点
几个
水平
扇形
保护,这可以禁止
该计划
擦除操作
in
某些
扇区
or
扇形
组:
一贯
扇形
保护
命令
扇形
它取代了旧的12 V CON-保护方法
受控的保护方法;
密码
扇形
保护
HIGHLY
复杂的
保护方法
需要
a
密码
改变某些
扇区
or
扇形
群体
允许的;
WP #硬件亲
tection
防止程序或擦除
in
两个outer-
8
千字节
扇区
较大
银行。
该设备默认的持久性
扇形
保护
模式。客户必须再选择
if
标准
或密码保护的方法
is
最可取的。该
WP #硬件保护功能
始终可用,
独立
其他保护方法的选择。
VersatileI / O (V
CCQ
)
特征
允许
输出
器件上的电压产生的
be
决心
基于
在V
IO
的水平。此功能
允许
该装置
操作
in
1.8 V的I / O环境,驾驶
ceiving
信号的
to
从其他1.8 V器件
同一总线上。
In
此外,投入和
I / O的那
驱动的
EXTERNALLY
能够处理
3.6
V.
主人
系统
可以检测是否
a
程序或
擦除操作
is
完整
by
观察RY / BY #
销,
by
阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (瓶酒
GLE )
状态
位。
a
编程或擦除周期有
一直
完成的,该设备
is
准备好读
ARRAY
数据
or
接受另一个
命令。
扇形
擦除架构
允许
内存
器到
be
删除
无需重新编程
影响
其他的数据内容
部门。
设备
is
十分
擦除时
从工厂。
硬件数据保护
措施
包括
V
CC
探测器
自动抑制
写操作
在电源转换系统蒸发散。该
密码
软件业
保护
功能禁用
节目
擦除操作
在任何
组合
扇区
的存储器。这可以
在系统的实现
V
CC
的水平。
编程/擦除
暂停/删除
简历
为特色的
TURE使
用户
把擦除搁置
任何
PE-
时间RIOD读取数据,或程序数据,
任何
扇形
is
擦除。真
后台
地擦除因此可以
来实现。
硬件RESET #引脚
终止
任何
手术
in
进度
重置
内部状态
阅读
ARRAY
数据。
该器件提供两种省电功能。当
地址
一直稳定
指定的量
of
时,器件进入
自动
睡觉
模式。
系统
可以
将设备
INTO
待机
模式。
耗电量
is
极大地重新
duced
在这两个
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的最高级别
质量,
可靠性
成本effective-
内斯。该装置电擦除
所有的位
a
同时行业
通过福勒- Nordheim隧穿。
数据
is
程序
运用
热电子
注入。
2
Am29BDD160G
2006年6月7日
目录
产品
选择器
指南
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5
框图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5
框图
同时
运算电路
. . . . . . . . . . . . .
6
接线图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7
特殊包装处理说明.................................... 8
引脚配置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9
逻辑
符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
9
x16模式................................................ .................................. 9
X32模式................................................ .................................. 9
订购信息
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
设备总线操作
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
表1.设备总线操作............................................ ........... 12
动态保护位( DYB ) ............................................ 25
表11.扇区保护计划............................................ 26
VersatileI / O (V
IO
)控制................................................ .... 13
对于读阵列数据要求................................... 13
同时读/写
操作概述和限制................................... 13
概述................................................. ............................ 13
限制................................................. ......................... 13
表2.银行分配为引导银行
行业设备................................................ ................................ 13
持久扇区保护模式锁定位....................... 26
密码保护模式............................................... ...... 26
密码和密码模式锁定位............................ 26
64位密码.............................................. ..................... 27
写保护( WP # ) ............................................ .................... 27
SecSi ™ (安全硅)扇区保护.......................... 27
SecSi扇区保护位.............................................. ....... 28
持久保护位锁定.............................................. ... 28
硬件数据保护............................................... ....... 28
低V
CC
写禁止................................................ ........... 28
写脉冲“毛刺”保护............................................ 28
逻辑禁止................................................ ....................... 28
上电写禁止............................................. ............ 28
V
CC
和V
IO
上电和断电排序......... 28
顶级引导扇区的设备............. 29表12扇区地址
对于底部引导扇区的设备........ 30表13扇区地址
表14. CFI查询标识字符串....................................... 31
表15. CFI系统接口字符串........................................... 31
表16. CFI设备几何定义..................................... 32
表17. CFI主要供应商特定的扩展查询............... 32
同时读/写操作零延迟...... 13
表3.顶部引导银行选择........................................... ............ 14
表4.底部引导银行选择........................................... ....... 14
写命令/命令序列............................ 14
加快编程和擦除操作....................... 14
自选功能................................................ ........... 14
自动休眠模式( ASM ) ............................................ .... 14
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 15
输出禁止模式............................................... ............... 15
自选模式................................................ ..................... 15
表5. Am29BDD160自选代码(高压法) 0.16
命令德网络nitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
读阵列数据的非突发模式.................................. 34
在连拍模式下读取阵列数据......................................... 34
读/复位命令.............................................. ............. 34
自选命令................................................ ............. 35
程序命令序列............................................... 35
加快程序命令............................................ 35
解锁绕道命令序列..................................... 35
图4.程序运行............................................. ............ 36
异步读取操作(非连拍) ........................... 16
图1.异步读取操作........................................ 16
同步(突发)读操作.................................... 17
线性突发读操作.............................................. .. 17
表6. 16位和32位的线性和突发数据令................. 17
CE#控制在平板模式............................................ .... 18
ADV #控制在平板模式............................................ .. 18
在平板模式RESET#控制......................................... 18
OE #控制在平板模式............................................ .... 18
IND / WAIT #运行在平板模式................................. 18
表7.有效配置寄存器位定义为IND / WAIT # 20
图2.最终连拍指示( IND / WAIT # )时序线性8字的
突发操作................................................ ............................... 20
解锁绕道进入命令.......................................... 36
解锁绕道程序命令.................................... 36
解锁绕道芯片擦除命令................................ 36
解锁绕道原讼法庭命令............................................ 36
解锁绕道复位命令......................................... 37
芯片擦除命令............................................... ............. 37
扇区擦除命令............................................... .......... 37
图5.擦除操作............................................. ................. 38
扇区擦除和编程挂起命令.................... 38
扇区擦除和编程暂停运行机制... 38
表18.允许执行的操作在擦除/编程挂起... 38
突发访问时序控制.............................................. 21
最初的突发存取延迟控制....................................... 21
表8.突发初始接入时延........................................... ....... 21
图3.初始脉冲串延时控制........................................... ..... 21
配置寄存器................................................ ............ 22
表9.配置寄存器定义..................................... 22
表10.配置寄存器后器件复位..................... 24
初始接入时延配置.......................................... 24
扇形
保护
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
24
持久扇区保护............................................... .... 24
持久保护位( PPB ) ............................................ 25
持久保护位锁定( PPB锁) .......................... 25
扇区擦除和编程恢复命令..................... 39
配置寄存器读命令................................. 39
配置寄存器写命令................................. 39
通用闪存接口( CFI )命令.............................. 39
SecSi行业进入命令.............................................. .. 41
密码程序命令............................................... 41
密码验证命令............................................... ..... 41
密码保护模式锁定位程序命令.. 42
持久扇区保护模式锁定位程序的COM
普通话................................................. ...................................... 42
SecSi扇区保护位程序命令.................... 42
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 42
DYB写命令............................................... .............. 42
密码解锁指令............................................... ... 42
PPB程序命令............................................... ......... 43
2006年6月7日
Am29BDD160G
3
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