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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1722页 > APT15GF120JCU2
APT15GF120JCU2
ISOTOP
®
升压斩波
NPT IGBT
碳化硅二极管斩波
K
V
CES
= 1200V
I
C
= 15A @ T = 90℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
刹车开关
C
G
特点
非穿通( NPT ) IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
菜刀SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
ISOTOP
®
封装( SOT- 227 )
极低的杂散电感
高集成度
E
E
G
C
K
ISOTOP
®
好处
突出表现在高频率运行
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
1200
30
15
60
±20
156
30A@1150V
单位
V
A
V
W
APT15GF120JCU2 - 牧师0 2009年9月
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
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1-6
APT15GF120JCU2
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 15A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
典型值
最大
250
500
3.7
6
400
单位
µA
V
V
nA
2.5
4
3.2
4.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
=15A
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 15A
R
G
= 33Ω
电感式开关( 125°C )
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 15A
R
G
= 33Ω
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 15A
T
j
= 125°C
R
G
= 33Ω
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 900V
t
p
为10μs ;牛逼
j
= 125°C
测试条件
V
R
=1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
TC = 125°C
典型值
1000
150
70
99
10
70
60
50
315
30
60
50
356
40
1.2
最大
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
1
90
A
菜刀碳化硅二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
Q
C
C
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
I
F
= 10A
1200
典型值
32
56
10
1.6
2.3
40
96
69
最大
200
1000
1.8
3
单位
V
µA
A
V
nC
pF
APT15GF120JCU2 - 牧师0 2009年9月
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
I
F
= 10A ,V
R
= 600V
的di / dt = 500A / μs的
F = 1MHz时, V
R
= 200V
F = 1MHz时, V
R
= 400V
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2-6
APT15GF120JCU2
热和包装特点
符号特性
R
thJC
R
thJA
V
ISOL
T
J
,T
英镑
T
L
力矩
Wt
结到外壳热阻
结到环境( IGBT &二极管)
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
IGBT
碳化硅二极管斩波
2500
-55
典型值
最大
0.8
1.65
20
150
300
1.5
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
存储温度范围
最大的铅温度对焊接: 0.063 “从案例10秒
安装力矩
(安装= 8-32或4毫米机和终端为4毫米机)
包装重量
11.8 (.463)
12.2 (.480)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4处)
29.2
SOT- 227 ( ISOTOP
®
)包装外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
(4处)
r = 4.0 (.157)
( 2处)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
( 2处)
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
阴极
集热器
*发射极端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
发射极端子。
尺寸以毫米(英寸)
辐射源
典型的IGBT性能曲线
最大频率,工作频率(kHz )
电容VS集电极到发射极电压
10000
工作频率与集电极电流
120
100
80
60
ZVS
V
CE
= 600V
D = 50%
R
G
= 33Ω
T
J
= 125°C
T
C
= 75°C
C,电容(pF )
资本投资者入境计划
1000
卓越中心
100
CRES
40
20
0
0
HARD
开关
ZCS
10
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
5
10
15
20
I
C
,集电极电流( A)
25
1
热阻抗( ℃/ W)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间(秒)
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3-6
APT15GF120JCU2 - 牧师0 2009年9月
APT15GF120JCU2
30
IC ,集电极电流( A)
25
20
15
T
J
=125°C
输出特性(Ⅴ
GE
=15V)
IC ,集电极电流( A)
250μs的脉冲测试
< 0.5 %占空比
12
10
8
6
4
输出特性(Ⅴ
GE
=10V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 %占空比
T
J
=25°C
T
J
=25°C
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
传输特性
6
T
J
=125°C
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
栅极电荷
I
C
= 15A
T
J
= 25°C
V
CE
=240V
V
CE
=600V
IC ,集电极电流( A)
25
20
15
250μs的脉冲测试
< 0.5 %占空比
V
GE
,门到发射极电压( V)
30
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
CE
=960V
T
J
=125°C
10
T
J
=25°C
5
0
0
2.5
5
7.5
10
V
GE
,门到发射极电压( V)
击穿电压VS结温。
12.5
20
40
60
80
100
120
栅极电荷( NC)
集电极直流电流与外壳温度
集电极到发射极击穿电压
(归一化)
1.10
IC , DC集电极电流( A)
25
50
75
100
125
30
25
20
15
10
5
0
1.05
1.00
0.95
0.90
T
J
,结温( ° C)
25
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4-6
APT15GF120JCU2 - 牧师0 2009年9月
50
75
100
125
T
C
,外壳温度( ° C)
150
APT15GF120JCU2
导通延迟时间与集电极电流
V
CE
= 600V
R
G
= 33Ω
关断延迟时间与集电极电流
TD (关) ,关断延迟时间(纳秒)
TD (上) ,导通延迟时间(纳秒)
75
70
65
60
55
50
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
电流上升时间与集电极电流
160
V
CE
= 600V
R
G
= 33Ω
400
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
350
V
GE
= 15V
300
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
250
V
CE
= 600V
R
G
= 33Ω
200
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
电流下降时间与集电极电流
50
45
T
J
= 125°C
TR ,上升时间(纳秒)
TF ,下降时间(纳秒)
120
40
35
30
25
T
J
= 25°C
80
V
GE
=15V
40
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
开启能量损耗VS集电极电流
V
CE
= 600V
R
G
= 33Ω
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ,R
G
= 33Ω
20
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
35
EON,开启能量损耗(兆焦耳)
EOFF ,关断能量损失(兆焦耳)
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
关断能量损耗VS集电极电流
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
反向偏置安全工作区
35
30
25
20
35
T
J
= 25°C
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 33Ω
T
J
= 125°C
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
10
15
20
25
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
5
35
开关损耗(兆焦耳)
开关损耗VS栅极电阻
3.5
I
C
,集电极电流( A)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
栅极电阻(欧姆)
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
EON, 15A
EOFF , 15A
10
5
0
0
400
800
1200
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
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5-6
APT15GF120JCU2 - 牧师0 2009年9月
15
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