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数据表
Am29LV320MT/B
32兆位(2M ×16位/ 4米×8位) MirrorBit
3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3 V读取,擦除和编程操作
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 六十三32 K字/ 64 - Kbyte的部门
- 八4千字/ 8 KB的引导扇区
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 15 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间: 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字/字节更新
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 12 mA典型有效的读电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消: V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP # / ACC输入:
写保护输入端( WP # )保护顶部或底部的两个
不管扇区保护设置部门
ACC (高电压)加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
- 就绪/忙#输出( RY / BY # )表示程序或
擦除周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
26518
启:
B
Amendment/0
发行日期:
2003年5月16日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
D A T A中文ê (E T)
概述
该Am29LV320M / TB是32兆, 3.0伏单
电源闪存装置组织成
2,097,152字或4,194,304字节。该装置具有
一个8位/ 16位总线和可以在被编程
主机系统或标准EPROM编程器。
90 ,100, 110 ,或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意,每个存取时间具有特定的操作
电压范围(Ⅴ
CC
)和一个I / O电压范围(Ⅴ
IO
),如
在特定网络版
产品选择指南
命令─
ING信息
部分。该器件采用一个
48针TSOP , 48球精细间距BGA或64球Forti-
田间BGA封装。每台设备都有单独的芯片恩
能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出使能
( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入,高电压
加速计划
( ACC )
功能提供了更短的编程时间
通过增加电流的WP # / ACC输入。这
功能是为了便于工厂产能很好地协同
荷兰国际集团系统的生产,但也可以在使用
字段如果需要的话。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位
or
监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中,
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据,而不是四个。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一擦除操作
定扇区读或写其他部门和
然后完成擦除操作。该
节目
挂起/恢复计划
功能可使主机
系统暂停在一个给定扇区的程序操作
阅读任何其他部门,然后完成亲
克操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
写保护( WP # )
功能保护的顶部或
底部的两个部门通过产生一个逻辑低电平上
WP # / ACC引脚。受保护的行业仍然会亲
tected甚至在加速编程。
SecSi (安全硅)行业
提供
128个字/ 256字节的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
该部门没有进一步的变化可能发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验,生产
的质量,可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV320MT/B
2003年5月16日
D A T A中文ê (E T)
的MirrorBit 32 MBIT器件系列
设备
LV033MU
LV320MT/B
LV320MH/L
公共汽车
x8
x8/x16
x8/x16
部门架构
制服( 64字节)
引导( 8 ×8字节
在顶部&底部)
制服( 64字节)
套餐
40针TSOP ( STD , &转。引出线)
48球FBGA
48针TSOP , 48球精细间距BGA ,
64 - ball加固BGA
56引脚TSOP ( STD , &转。引出线)
64 - ball加固BGA
V
IO
是的
No
是的
RY / BY #
是的
是的
是的
WP # , ACC
只有ACC
WP # / ACC引脚
WP # / ACC引脚
WP #保护
没有WP #
2 ×8字节
顶部或底部
1 ×64字节
高或低
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链接或访问www.amd.com
FL灰内存
的精良
UCT信息
的MirrorBit
闪存信息
nical文档。
的MirrorBit 闪存的写入缓冲区编程
和页面缓冲器读
实现对AMD的MirrorBit共同布局
和英特尔StrataFlash闪存设备
从单字节迁移到三字节设备ID
AMD的MirrorBit 白皮书
2003年5月16日
Am29LV320MT/B
3
D A T A中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ......... 10
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 37
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ........... 37
表14.写操作状态............................................ ....... 37
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图10.最大负过冲波形................... 38
图11.最大正向超调波形..................... 38
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2. Am29LV320MT热门引导扇区结构.................. 12
表3. Am29LV320MB底部引导扇区结构............. 14
表4.自动选择码, (高压法) ....................... 16
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图12.测试设置............................................. ....................... 40
表15.测试规范............................................. ............ 40
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图13.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 40
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
只读操作.............................................. ............. 41
图14.读操作时序............................................ ... 41
图15.页读时序............................................ .......... 42
行业组保护和unprotection的............................. 17
表5. Am29LV320MT顶部引导扇区保护..................... 17
表6. Am29LV320MB底部引导扇区保护................ 17
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 43
图16.复位时序............................................. .................. 43
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
临时机构集团撤消....................................... 18
图1.临时机构集团撤消操作................ 18
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 19
擦除和编程操作.............................................. 44
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图21.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
45
45
46
47
48
48
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 20
表7. SecSi行业目录............................................ .......... 20
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 21
硬件数据保护............................................... ....... 21
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
字/字节编程命令序列............................. 25
图4.写缓冲器编程操作............................... 28
图5.程序操作............................................. ............. 29
临时机构撤消............................................... ... 49
图23.临时机构集团撤消时序图... 49
图24.类别组保护和撤消时序图.. 50
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 51
图25.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 52
程序挂起/恢复程序命令序列... 29
图6.程序挂起/恢复计划............................... 30
芯片擦除命令序列........................................... 30
扇区擦除命令序列........................................ 30
图7.擦除操作............................................. .................. 31
擦除暂停/删除恢复命令........................... 31
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 34
图8.数据#轮询算法........................................... ........ 34
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 35
图9.切换位算法............................................ ............. 36
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 36
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 36
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 37
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 53
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
引脚TSOP和BGA封装电容。 。 。 。 。 54
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
TS 048-48引脚标准引脚薄型小尺寸封装
( TSOP ) .............................. .................................... 55
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
TS 048-48引脚标准引脚薄型小尺寸封装
( TSOP ) .............................. .................................... 56
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
9 ×8毫米包装............................................. ..................... 57
物理尺寸
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( FBGA )
13 ×11毫米包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
4
Am29LV320MT/B
2003年5月16日
D A T A中文ê (E T)
产品选择指南
产品型号
速度
选项
V
CC
= 3.0–3.6 V
V
CC
= 2.7–3.6 V
90
90
25
25
90R
100R
100
100
100
30
30
30
30
110
110
40
40
30
30
Am29LV320MT/B
110R
110
120
120
40
40
120R
120
马克斯。访问时间(纳秒)
马克斯。 CE#访问时间(纳秒)
马克斯。页面访问时间(t
PACC
)
马克斯。 OE #访问时间(纳秒)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
RESET#
WE#
WP # / ACC
BYTE #
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A20–A0
2003年5月16日
Am29LV320MT/B
5
查看更多AM29LV320MT120REPDF信息
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    电话:0755-23063133/23042311
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    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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