集成电路的设计十分复杂,动辄使用数百万到数十亿个逻辑闸数量(gatc counO,每一RLF7030T-3R3M4R1个逻辑门和其他器件的电性参数必须同时达到标准,否则丿小片可能无法止常运作。一片品圆通常有数十到数万个芯片,保持制程的均一性相当重要。不但要监控关键的电性和物性,使其在整个品圆的范围内达到一定标准(sPEC);还得让每一片生产的晶圆都达到这一标准。囚此必须引人统计制程管制来完善质量监控c日前主流的F丨;产系统是8英寸和12英寸△的I厂,12英寸晶圆较8英寸大了2.25倍,制程的控制难度也吏大;然雨j△厂把大的晶圆使用在高阶的制程,对控制的要求反而更高。由于丁序相当繁复,从投片到产出可能包含近千个步骤,耗时一到∷个月.必需使用制造流程(F)rocess flow)控制各阶段制程的质董。

    芯片在出厂前要进行各项检测,以确认整个生产流程能达到卜述要求。出厂检测包含器件电性参数的董测(Wafer Acceptance Test.WΛT),WAT量测包含大多数使用器件的参数,如电阻器的阻值、M()s的栅极氧化层电容值、M()S「ET的特性等c这些电性参数百T以反应制程I艺是否正常,inj掌握l∶艺对电性的影响更是制程研发的关键。