MOs直流特性(DC)町以用开启电压(Thrcshold v°11age.Vt).驱动电流(I)rivingcurmn1,Id)和漏电流(su⒌thrcshold leakage,I°ff)来描述。逻辑电路所使用的M()S操作在饱和区域.要具备快速开启电压(sub-thresh°l(l swing)、RTL8212F-GR大驱动电流和低漏电流箐特忤,然而在某些模拟电路的M()S则偏重于在线性区域操作,l/xl此反而不能要求好的subthreshold sing。

开启电压(Vl)是定义在MΘS发生强反转的位置。以NM()S为例,量测时一般将源极和衬底接地(V、=yˇ"=(亠NI)),Vl量测时漏极接在一个固定的小电压(y。≤0,1v)。在栅极上逐渐加电压并量测漏极端的电流。当电流大于某一个没定值(例如.Ιd)0,1`￡A/um)H寸加在栅极上的电压即是Vl。Vl有日刂∷岜用Gm Maximum的量测方法定义,8m是指漏极电流随栅极电压的变化量,也就是Ⅰd V。图的斜率(见图12,l)。8m在整个量测l×线是工亩在变化的:取卩m的最大值所在的电压在几一Vg图上作一切线,这条线和Vg的交点即是V】。

    Sul,threshold swing则定义为在V1量测时在Jd yˇ图斜率的导数,也就是说越低的swing值,MOS开启速度越快。驱动电流(Jd)定义为M()s漏极和栅极上加操作电压所得到的电流,而漏电流则是指是把栅极电压设为O.漏极上加操作电压所得到的M(E关断状态时的

电流。

   除了直流特性,MOS的交流特性也相当重要。逻辑电路所关注的是CM(B运作的速度,可以用环形振荡电路(Ring Oscillator,RO)来评估。RO速度越快,性能越好。在AC层面上考虑MOS的参数,除了提升Ⅰd对RO的速度有一定帮助外,对有效降低电路的寄生电容也会有相当大的帮助。寄生电容包含source和drain junction的电容,M()S结构内包含的电容和多重连接导线的电容等。