为进一步提高器件性能,降低漏电流,⒛12年,IBM的研究人员提出并实验了一种Ⅸ)I平面结构无结场效应晶体管,其沟道掺杂浓度采用梯度分布,由表及里浓度逐渐降低, PAM2312器件的性能进一步得到改善。这是由于降低了远离栅极沟道部分的掺杂浓度,使其载流子容易耗尽,可以大大降低器件关态漏电流[531。

   受IBM研究人员的启发,肖德元对其早期提出的圆柱体全包围栅无结场效应晶体管器件结构进行了改进,其圆柱体沟道掺杂浓度采用梯度浓度分布,由圆柱体表面至中心浓度逐渐降低,如图1,16所示。制造工艺并不复杂,在圆柱体沟道表面沉积一层磷掺杂或者硼掺杂的二氧化硅牺牲层,经高温无限表面源扩散,在圆柱体沟道内就可以形成梯度掺杂浓度分布,之后再去除二氧化硅牺牲层。器件模拟结果表示,器件的性能可以进一步得到改善「341。