图14.12给出了在OBIRCH热点域处找到的缺陷,其中:图11.12(a)热点位置的TEM图片, P89LPC935FA下层铜金属与Via的界面处缺陷很明显,连接不良;下层铜的保护层氮化硅也有破洞;图11.12(b)放大的TEM图片,更清楚地看出Via与下层铜的界面接触不好。

   芯片IO(×输入输出)ESD保护电路失效案例:对于芯片失效分析,器件失效常常采用背面的PEM来诊断失效点;但并不是所有的器件失效都能通过PEM(CCD)来诊断出失效的位置;当器件失效表现为欧姆特性时,也常常利用背面的OBIR()H雷射技术或PEM(MCT)来诊断,前面已经叙述PEM(MC'Γ)在前段器件失效的应用;这里介绍ΘBIRCH雷射技术应用在90nm芯片器件失效的例子。下面的案例是我们公司白己设计的90nm IO芯片,在评估ESD保护电路测试时失效,表现为Pin2在ESD HBM(人体模式)在2.5kV时漏电流超标失效,规范要求1kV以上;图⒈1.13显示ΘBIR(lH雷射技术诊断出的失效位置,

热点在Pin2自身的ESD保护电路内;根据热点的位置,按照P「A程序,最后发现在热点区域,E⒏)的保护电路烧毁,两个PN二极管之间横向交界处击穿,C冫uard Ring都被烧毁(见图14.14)。