晶片表面颗粒去除方法

   颗粒从制程外的空气或制程中(如膜层沉积、药液清洗等)至刂达品片表面,一般有TDA7719TR两种接触:物理吸附和化学粘结。物理吸附包括范德华力吸附、静电荷吸附和毛细吸附,当一个颗粒接近一个同体表面,颗粒就以范德华力形式被吸附在晶片表面,在捕获各种类型的同态颗粒或气体分子方面,静电荷吸附、毛细吸附等大多数情况下都不如范德华力强大,范德华力吸附的颗粒可以用以下三种方法去除:①化学去除(颗粒溶解,颗粒氧化和溶解,轻微刻蚀),见图9.2;②颗粒与表面间的静电排斥去除;③物理{机械)去除(剪切力的应用,使颗粒转动和滑动)l。化学粘结导致的吸附比范德华力还强,不能用这里描述的方法有效去除。