掩膜版的制作使用电子束和激光曝光的方式。由于现代光刻机一般使用4:l的缩小倍率,UC2845掩膜版的尺寸是硅片尺寸的4倍♀但是由于日益增加的光刻工艺的掩膜版误差囚子以及对亚衍射散射条(Sut,Resolution Assist Feature,SRAF)的需求,掩膜版的制造也愈发

具有挑战性。比如,对于32nm△艺,对掩膜版线宽的要求已经达到了2nm(3倍标准偏差)以内。对于线宽,由于使用了亚衍射散射条,其最小线宽已经达到了70~80nm。

   无论是电子束曝光也好,激光曝光也好,由于曝光方式是扫描式的,无论掩膜版上的图形如何复杂,或者线宽如何多佯化,电子束、激光束走的路径和历经的格点(grid point)都是 一样的。只是在不同的格点处使用的扫描曝光次数不一样。而且,为了提高扫描式曝光方法的速度,通过使用较大光斑的电子束加不同的曝光次数来实现空间像边缘位置的移动。比如,光斑的直径是实际掩膜版格点的4倍(一次扫描可以提高16倍速度),为了表达在实际格点处的边缘,只要将边缘的光斑位置逐次减少曝光次数,以起到匹配边缘的目的,如图7,85所示。