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浸入式光刻是指在投影镜头与硅片之间用液体充满

发布时间:2017/10/12 22:01:38 访问次数:793

   浸入式光刻是指在投影镜头与硅片之间用液体充满,由于液体的折射指数比空气高,因PT4121此可以增加投影棱镜数值孔径(NA)。以超纯水为例,其折射指数为1。狃,相当于将193nm波长缩短到134nm,从而提高了分辨率。基于193nm浸人式光刻技术在⒛O4年取得了长足进展,并成功地使用在45nm技术节点中。193nm浸人式光刻技术原理清晰,构成方法可行并且投入小,配合旧有的光刻技术变动不大,节省设各制造商以及制程采用者大量研发及导入成本,因此157nm光源干式光刻技术被193nm浸人式光刻所替代。

   为了能在下一个技术节点上获得领先,下一代的光刻技术正在研发当中,如远紫外光光刻(EUV)、电子束投影光刻、离子束投影光刻、X射线光刻和纳米印制光刻等。但是在32nm技术节点上,两次图形技术(double patterning)从工艺整合的角度出发,能够采用多种工艺整合途径,沿用193nm浸入式光刻技术,满足32nm技术节点上的工艺需求L11。除此之外,两次曝光技术(double cxposure)也在研究当中。结合两次图形曝光或者两次曝光技术,193nm沉浸式光刻技术有可能向下扩展到”nm节点。

   浸入式光刻是指在投影镜头与硅片之间用液体充满,由于液体的折射指数比空气高,因PT4121此可以增加投影棱镜数值孔径(NA)。以超纯水为例,其折射指数为1。狃,相当于将193nm波长缩短到134nm,从而提高了分辨率。基于193nm浸人式光刻技术在⒛O4年取得了长足进展,并成功地使用在45nm技术节点中。193nm浸人式光刻技术原理清晰,构成方法可行并且投入小,配合旧有的光刻技术变动不大,节省设各制造商以及制程采用者大量研发及导入成本,因此157nm光源干式光刻技术被193nm浸人式光刻所替代。

   为了能在下一个技术节点上获得领先,下一代的光刻技术正在研发当中,如远紫外光光刻(EUV)、电子束投影光刻、离子束投影光刻、X射线光刻和纳米印制光刻等。但是在32nm技术节点上,两次图形技术(double patterning)从工艺整合的角度出发,能够采用多种工艺整合途径,沿用193nm浸入式光刻技术,满足32nm技术节点上的工艺需求L11。除此之外,两次曝光技术(double cxposure)也在研究当中。结合两次图形曝光或者两次曝光技术,193nm沉浸式光刻技术有可能向下扩展到”nm节点。

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