除了在标准的刻蚀机里的原位灰化,异地灰化「25J是必不可少的,主要用来完全去除干法刻蚀和离子注人P87C51RB+5A后的光刻胶及其残余物。图8.51表示的是两个主流灰化机型的比较:I'am/Gamma和Matts°n。在⒛08年,这两种灰化机占据着干法去胶领域约46%的市场份额。这当中,I'AM以23.3%的市场份额攀升到F第一位。它们是ICP型反应器,使用pinˉup/down功能控制晶圆温度。交错电感耦合等离子(I2CP)源是Novcllus所拥有的专利技术,两个相互交织的线圈与传统的ICP源一起可以解决很多负面问题,并可以提供更宽的工艺窗口。到目前为止,灰化化学被限制于02、N2、H3、C「!、CH1和发泡气体(FG)。从后端I艺低虍损伤的观点来看,CHl已被证明优于其他灰化气体。氧等离子中的CHt可以将光刻胶中的氢提取出来,产生HF。这个特性可用来除去含有坚硬的光刻胶层的s或者Si()。发泡气体是由N2+4%H:组成,主要用于高剂量离子注人(HDIs)后的干法去胶。高剂量离子注人迫使光刻胶中的H和OH组合,最终形成碳化的壳层,叫做硬皮。它也含有 一些无机元素,比如注人的As,P或者是B。如果用常规的氧气进行灰化,在某些硬皮「x域可以观察到泡状缺陷。因此,提议使用发泡气体与光刻胶反应,生成含有可挥发的有机化合物的胺,它的H2元素与注人的离子反应,形成可挥发的化合物。在45nm I艺中,为了无残余物,高剂量离子注人后采用CH4和发泡气体去胶。