而源漏极及轻掺杂源漏极的掺杂浓度相对越来越高,这就要求作为栅极氧化层的氮氧化硅中, NC7SV74K8X氮的含量越来越高,同时尽可能的靠近上表面。在这种情况下,等离子体氮化工艺就应运而生[3dJ。它主要是用氮气或氮气和惰性气体(如氦气或氩气)的混合气,在磁场和电场感应下产生等离子体,而形成的氮离子和含氮的活性分子/原子则通过表面势扩散至预先形成的超薄氧化硅表面,取代部分断裂的硅氧键中氧的位置,并在后续的热退火步骤中将已经形成较为稳定的硅氮成键而固定下来。一个典型的等离子体氮氧化硅I艺示意图如图4.2所示,它具有工艺可控性和重现性好、形成的氮氧化硅氮含量高、均匀性好等优点。等离子体氮化I艺的主要设各生产商有应用材料公司(Applicd Material)和东电电子(Tok四Electr°n)。需要特别指出的是,氮氧化硅I艺复杂,材料受外部环境影响较大,不仅前后工艺流程间要控制时间(如与前面的预清洗I艺间,与后面的多晶硅沉积工艺问),本身工艺步骤间也要控制时间间隔和环境条件,所以通常的等离子体氮化I艺设各会把形成⒏O2的腔体。等离子体氮化的腔体及随后的退火处理腔体都整合在一起(见图4.3)。