n-阱和p-阱的形成
发布时间:2017/10/14 11:02:31 访问次数:3902
阱和″阱的形成如图3,5所示,包括掩模形成和穿过薄牺牲氧化层(SAGox)的离子注人。 R1EX24256BSAS0A⒈阱和广阱的形成顺序对最终晶体管的性能影响很小。后面会在ll阱中形成PMC)S,在「阱中形成NMOS,因此,⒈阱和Γ阱的离子注入通常是多路径的(不同的能量/剂量和种类),这些注人不仅用于阱的形成,同时也用于PMOS和NMOS阈值电压V1的调整和防止穿通。l・阱离子注人后使用RTA激活杂质离子推进杂质深度。
阱和″阱的形成如图3,5所示,包括掩模形成和穿过薄牺牲氧化层(SAGox)的离子注人。 R1EX24256BSAS0A⒈阱和广阱的形成顺序对最终晶体管的性能影响很小。后面会在ll阱中形成PMC)S,在「阱中形成NMOS,因此,⒈阱和Γ阱的离子注入通常是多路径的(不同的能量/剂量和种类),这些注人不仅用于阱的形成,同时也用于PMOS和NMOS阈值电压V1的调整和防止穿通。l・阱离子注人后使用RTA激活杂质离子推进杂质深度。
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