像所有其他SACVD03TEOS工艺一样,HARP沉积工艺也对衬底材料表现出了很高的敏感性。K4H561638H-UCCC如表4.7所示,HARP在si02上比在⒏N上的沉积速率慢。这种敏感性与温度、03/TEOS比例以及压力有非常强的关系,所以当评价HARP在CMP的沟槽中的loading时,HARP的表面敏感性也需要被考虑在内。

   Qimonda等公司L:]报道了利用SATEC)S对衬底的敏感性,实现了薄膜在沟槽中选择性生长,从而得到从下到上的填充效果。但是具体通过什么处理以及采用什么样的条件,并没有详细的报道。

   随着器件尺寸的继续减小,seam对填充的影响会越来越大,应用材料公司在HARP系统中引人H2O将是32nm或22nm的发展方向,另外通过刻蚀对HARP沉积中的轮廓进行修正也变得越来越重要。