曝光过程当中产生的缺陷分为非浸没式缺陷和浸没式缺陷。非浸没式缺陷一般为引入的颗粒。V430MA3A当然还有从掩膜版的缺陷通过成像传递到硅片~L的缺陷。浸没式的缺陷就比较多了。比如由于在光刻胶顶部存在水而导致的缺陷,包括

   (1)由于水中气泡(Bubble)对成像的干扰产生的圆形区域性缺陷,会导致类似“微小凹透镜效应”(micro lensing effect),造成图形被放大,I业上称为“图形缩小”(PatternAttenuation,PA),实际上,图形是被放大了,见图7。48中的(j)。

   (2)还有由于在曝光后光刻胶表面存在水滴,叉称为水的流失(watcr loss),对曝光产生的光酸的浸析(lmching)造成的图形显影不良和“粘连”(bⅡdging,TSMC SPIE65⒛12),见图7.48中的(f)。

   (3)在曝光前光刻胶表面存在水滴,水滴在光刻胶顶部涂层(Top Coating)中的渗透造成顶部涂层膨胀(swelling,TSMC sPIE65⒛12),向上拱起,形成另一种微小凸透镜效应,在下业当中称为反向图形缩小(Inverted Pattern AttCnuation,IPA),实际上是图形被缩小了,如图7.48中的(e)。还有一种类似的情况见图7.48(h),是在曝光时由顶部涂层的上表面落上的颗粒造成的。由于颗粒会导致光线绕射和散射,形成类似凸透镜的作用。