移相掩膜的基本原理是在光掩膜的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层,称移相SCDS127T-150M-N器,使光波通过这个介质层后产生180°的相位差,与邻近透明区域透过的光波产生干涉,抵消图形边缘的光衍射效应,从而提高图形曝光分辨率。移相掩膜技术被认为是最有希望拓展光学光刻分辨率的技术之一。已经证明,移相掩膜比传统的由完全透光区和完全不透光区组成的二元掩膜能明显提高分辨率和改善焦深。目前已广泛应用到⒛8nm和193nm光刻曝光的E器件生产中。

   移相层材料有两类,-类是有机膜,以抗蚀剂为主,如PMMA胶;另一类是无机膜,如二氧化硅。当所需的曝光临界尺寸接近或小于曝光光线波长时,由于光衍射产生的邻近效应的作用,应用普通的掩模板进行曝光将无法得到所需的图形,硅片上图形的特征尺寸将大于所需尺寸。移相掩膜技术通过对掩模板结构进行改造,从而达到缩小特征尺寸的目的。