图614(b)所示是当人射离子沿着沟道轴向人射时,因其离晶轴位置不同而有不同的碰撞情况。 PG985C4R当离子A沿着靠近晶轴位置人射时,很容易与晶格原子碰撞而产生大角度散射,不能进入沟道;离子B以稍远离晶轴位置人射时,将受到较大的核碰撞而在两个晶面之间“振荡”;离子C以远离晶轴方向人射,很少受到晶体原子核的碰撞,因而渗透得更深。因此,通常可以用临界角吼来描述发生沟道效应的界限。吼成为决定一个入射离子能否进人沟道的重要条件,(对每种杂质,上面曲线对应〈1t1)衬底,下面曲线对应.

   图615 硅中常用杂质发生沟道效应的临界角与离子注人能量风的关系当离子的速度矢量与主要晶轴方向的夹角比监)大得多时,很少发生沟道效应。因此,为了避免沟道效应,可使晶体相对注人离子呈现无定形的情况,通常是使晶体的主轴方向偏离注人方向,偏离的典型值为7°左右。这时,离子沿此方向射入,将与射人非晶靶中差不多,离子受到较大的阻挡作用,不会发生沟道效应,这种人射方向称为紊乱方向。离子沿紊乱方向射人晶体时,可以当成非晶靶处理。另一个减小沟道效应的方法是在注人前破坏其晶格结构。可在掺杂注入之前用高剂量的⒊、F或Ar离子注人来完成硅的预非晶化。另外,晶体表面常常覆盖有介质膜,如⒏02、S辶N1、A炻03和光刻胶等典型的无定型材料。如果晶体表面覆盖有无定形的介质膜,即使晶体的某个晶向平行于离子注人方向。但注人离子在进入到晶体之前,在无定形的介质膜中经过多次碰撞之后,已经偏离入射方向,即偏离了晶体的晶向,这与把晶体的主轴方向偏离注入方向的情况相似。上述情况的晶体靶都可以认为是无定形靶。但是,在无定形靶中运动的离子,由于碰撞使其运动方向不断改变,因而也会有

部分离子进人沟道。这些进人沟道的离子将对注入离子的分布产生一定的影响。进入沟道的离子,在运动过程中由于碰撞又可能脱离沟道。沟道离子虽然会引起注人离子分布的拖尾现象,但对注入

离子峰值附近的分布并不会产生实质性的影响。