共发射极电流放大系数。它既是晶体管一个重要的电学参数,也是检验晶体管经过硼、磷扩R5400N102CA-TR-FF散所形成的两个扩散结质量优劣的重要标志。影响放大系数的因素很多,这里仅从扩散工艺本身列举提高`值的一些途径。

    ①减小基区宽度:囚为卩值与基区宽度有关,基区宽度越小,`值就越高。所以,若磷扩散后可再提高磷扩散温度或延长扩散时间,使发射结结深往前推移,基区变薄。但并不是基区宽度越小越好。若基区宽度太小,`值过高,往往会使晶体管的电性能不稳定,扩散也难控制。磷主扩散后,还要进行三次氧化(或再扩散),发射结深度还会向前推移。因此经主扩散后所测得的`值不一定要求很高,其数值依不同要求而定。

    ②减少复合:复合包括体复合和表面复合。体复合与源材料中存在的缺陷和杂质有关,也和整个扩散过程多次高温处理所产生的二次缺陷和引人的有害杂质有关。所以,在扩散I艺中应尽量选择杂质原子的共价半径与硅原子半径0.117nm相当,尽量采用温度较低的扩散工艺方法。在进行高温处理后,应缓慢降温,保证晶格的完整性。同时,应加强工艺卫生,避免引人新的杂质沾污。至于表面复合问题,主要加强I艺卫生避免表面沾污,改善表面状态,防止表面损伤和进行表面钝化等。

    ③减小R史/Rab值:从《晶体管原理》知道,减小发射区的薄层电阻R义与基区薄层电阻凡b的比值,可提高发射极的注人效率γ。在工艺中常有这样的情况,即基区已经是很薄了,但`还是很小。显然,这时`小的原因已不是基区宽度的问题,而可能是注人效率太小而导致的。一般认为,磷扩散温度和时间应根据硼扩散的薄层电阻和结深来确定。若Rab丬、结较深就必须提高磷扩散温度或延长扩散时间,反之则降低温度或缩短时问。总之,硼、磷扩散一定要配合好,才能得到较好的效果。