集成电路工艺用的单晶硅片或外延硅片的性质,对集成电路产品性能及芯片工艺有直接的影响,因NC12S0A0H40PNFA此,本书首先介绍单晶硅片和外延硅片的结构、特性及制备工艺。硅芯片单项工艺是集成电路工艺

的基础,也是本书的核心内容,书中详细介绍当前主流硅芯片制造单项I艺的基本原理、基本△艺方法、工艺用途和所依托的物理基础;概述单项工艺所用设备、主要工艺参数的检测方法及发展趋势。集成电路产品种类繁多,不同产品制造工艺不同,但同类产品I艺流程相似,且不同产品也有相同的工艺集成技术(I艺模块),因此,本书对典型工艺集成技术、典型集成电路产品芯片的标准I艺流程

进行介绍.从而使读者对各类集成电路产品芯片的实际工艺有所了解。最后,还将介绍集成电路芯片的测试工艺和封装I艺。

   各单元具体章节内容如下。                         '

   第1单元硅衬底,介绍硅衬底的制造I艺及相关理论:第l章单晶硅特性,主要介绍硅晶体的结构特点,以及集成电路工艺中用到的一些固态电子学理论;第2章硅片的制备,介绍单晶硅锭的主要拉制方法,硅片的制各及检测;第3章外延,介绍外延硅片的制备原理、方法,包含气相外延、分子束外延及新出现的外延技术。