锗、硅、砷化镓是微电子产品中使用最多的半导体衬底材料。锗使用得最早,在微电NCP1406SNT1G子产品刚刚出现时就用其作为半导体器件及最初的小规模集成电路的衬底材料,目前除少量分立器件采用锗外,在其他产品中已很少看到用锗作为衬底材料的微电子产品。砷化镓是当前应用最多的化合物半导体衬底材料,主要作为中低规模集成度的高速电路或超过吉赫兹的模拟电路的衬底材料。硅是微电子产品中应用最广泛的半导体衬底材料,无论在大功率器件上,还是在大规模、超大规模集成电路,或是其他微电子产品上,都普遍使用硅单晶作为衬底材料。人们对硅的研究最为深人,作为衬底材料  硅单晶片的制备工艺也最为成熟.

   在这一单元,首先介绍硅单晶材料的性质、结构特点,从而使读者了解硅单晶为何会成为微电子产品中采用最多的衬底材料。然后,介绍单晶硅锭的二种主要拉制方法,即直拉法、磁控直拉法、悬浮区熔法,并介绍硅片的制各及检测方法。最后,介绍气相外延硅工艺的原理、方法,以及分子束外延工艺。