Roy提出在sio2的粘弹温度(Ⅵs∞clastic tcmperaturc)以上生长Sio2是有好处的,因在高温下so2的粘性减小引入了生长应力,在随后的冷却过程中应力逐步增加。 OF280SC50D梯度结构有助于应力释放,预生长的S⒑2层为后续的高温氧化层提供梯度来生长预生长的S⒑2不中层,该种层作为应力释放的缓冲,采用这种工艺设计,可以生长没有局部应力梯度的高质量so2界面层。通常是在9翎~1050℃稀释的氧化环境中(0.1%o)生长梯度氧化层,该梯度氧化层需要在750~800℃下进行s02层的预处理。这个预生长的氧化层在冷却阶段提供了梯度和应力释放,与传统的s⒑2相比,梯度氧化层可以把NBTI效应的影响减少3倍,这归功于Si/Sio2界面子结构和氧化层中弱硅氧键数目的减少。Ⅱu等通过共振核反应分析测量了蒸汽生长氧化层中氢的再分布,分析了850°C下和温度高于10O0℃下的氧化后退火(PoA,PostoxidatiOn Amcaling)对25nm厚氧化层NBTI效应的影响,测量表明PoA样品有着明显降低的氢密度和低的界面态,在施加NBTI应力后,在Si/so2界面处堆积的氢密度近似在gnm宽的范围内,这明显地高于NBTI产生的界面态。POA明显地改善了NBTI效应,Bunyan表明在SOI MOS器件中的自加热效应可以引起平带电压漂移和界面态密度的增加,从而加剧NBTI效应。