CMOs反相器电路图及其工艺结构如图5.⒛所示。从图中可见,衬底与P阱中分别存在着寄生三极管VT1/VT3与VT2/VT4。当CMOs电路处于正常工作状态时, D1FK60如果没有外来噪声的干扰,所有寄生晶间管处于截止状态,不会出现闩锁效应。只有当外来噪声使某个寄生晶体管被触发导通时,才可能诱发闩锁。这种外来噪声常常是随机的,如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。这些外来噪声可以通

过各种不同的渠道,如输入端、输出端、电源端或地端等进入电路内部的寄生晶闸管结构。电流结构不同,易产生闩锁的通道也不同。

   闩锁效应形成的物理过程

   VT1/VT3与VT2/VT4结构一旦触发,电源到地之间便会流过较大的电流,并在NPNP寄生晶闸管结构中同时形成正反馈过程,此时寄生晶闸管结构处于导通状态。只要电源不切断,即使触发信号已经消失,业已形成的导通电流也不会随之消失。

   外来噪声消失后,只有当电源提供的电流大于寄生晶闸管的维持电流或电路工作电压大于维持电压时,导通状态才能继续维持;否则,电路将退出导通状态。