氢是MOs集成电路氧化层最常见的杂质,在IC黹刂造的不同阶段都有可能被引入到氧化层中,OF140SA100D如氮化沉积和退火过程等。氢在干氧中的浓度大约为1019Gm3,在湿氧中浓度大约为1yOcm3。它在氧化层中的分布不均匀,在si/s⒑2界面处会有大量堆积。根据工艺和退火条件的不同还会有更高浓度的氢气产生。氢可以以原子态HO存在,也可以以氢分子H2的形式存在,还有诸如正电性的氢或质H+、氢氧基团OH、水合氢离子H30+、氧化氢离子OH。当硅氢键断裂后形成界面态nt,氮化栅氧层中的H与N之间的相互作用也值得关注。在NBTI的应力期间,因为具有较低的激活能,可动氢离子更可能与si N键中的N结合而不是si o键。因此,在氮化的氧化层中更易形成固定正电荷g,导致NBTI退化的增加。

   氘已经被证明能降低NBTI。氘(D)是比氢重的H的一种稳定的同位素,自然含量为0.015%,在其核内包含一个质子和一个中子。由于具有更重的质量或具有同位素效应,⒏一D结合得更紧密,具有更强的抗NBTI和HCI效应的能力。研究表明采用D钝化后的NBTI退化与采用H钝化后的NBTI相比展示了平行的漂移,即都具有尸5的关系。