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SSRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
V
IH
= (V
DD
/2.2) + 1.5V
V
IL
= (V
DD
/2.2) - 1.5V
1ns
V
DD
/2.2
V
DD
Q/2.2
参见图1和2
AS5SS256K18
输出负载
DQ
Z
0
=50
50
负载降额曲线
ASI的256K ×18同步突发SRAM时机取决于
电容性负载上的输出。
VT = 1.5V
图。 1输出负载等效
3.3v
317
DQ
351
5 pF的
贪睡模式
暂停模式是低电流， “掉电”模式，其中
取消选择器件，电流减小到我
SB2Z
。的持续时间
暂停模式是通过时间的ZZ的长度决定的是在一个高
状态。在设备进入暂停模式，除ZZ所有输入
成为选通输入被忽略。
ZZ是一个异步，高电平有效输入，导致器件
进入暂停模式。当ZZ变为逻辑高电平，我
SB2Z
is
后设置时间t保证
ZZ
得到满足。任何读或写
操作挂起，当设备进入暂停模式不
quaranteed成功完成。因此，暂停模式
不能开始，直到有效的未决操作完成。
图。 2输出负载等效
贪睡模式电气特性
描述
在暂停模式电流
ZZ主动输入忽视
ZZ不活动的输入采样
ZZ积极打盹电流
ZZ不活跃，退出当前贪睡
注意：
1.该参数进行采样。
条件
ZZ > V
IH
符号
I
SB2Z
t
ZZ
t
RZZ
t
ZZI
t
RZZI
民
最大
10
t
KC
单位
mA
ns
ns
笔记
1
1
1
1
t
KC
t
KC
0
ns
ns
贪睡模式波形图
CLK
t
ZZ
ZZ
I
供应
所有输入*
*除ZZ
AS5SS256K18
2.0版本12/00
t
RZZ
t
ZZI
I
SB2
t
RZZI
4321
4321
4321
4321
5439
2
0
541
3
54321765432121
01 8
21
9
541
3
54321765432121
218
541
3
021765432121
98
54321765432121
218
09
541
3
8
不在乎
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
