位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第252页 > AS5SS256K18DQ-10/IT > AS5SS256K18DQ-10/IT PDF资料 > AS5SS256K18DQ-10/IT PDF资料2第7页
SSRAM
奥斯汀半导体公司
AS5SS256K18
电气特性和推荐AC工作条件
（注1 ） -55
o
<牛逼
A
< 125
o
C和-40
o
C<T
A
<+85
o
℃; V
DD
= + 3.3V， + 0.3V / -0.165V除非另有说明）
描述
时钟
时钟周期时间
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
符号
t
KC
t
KF
t
KH
t
KL
t
KQ
t
KQX
t
KQLZ
t
KQHZ
t
OEQ
t
OELZ
t
OEHZ
t
AS
t
美国存托股份
t
AAS
t
WS
t
DS
t
CES
t
AH
t
ADSH
t
AAH
t
WH
t
DH
t
CEH
-8
民
8.8
113
2.5
2.5
7.5
3.0
3.0
-9
最大
民
10
100
4.0
4.0
8.5
-10
最大
民
15
66
最大
单位
ns
兆赫
ns
ns
笔记
2
2
输出时间
时钟到输出有效
10
ns
ns
ns
时钟输出无效
时钟输出在低Z
时钟输出高阻
OE \\到输出有效
OE \\输出在低Z
OE \\输出高-Z
设置时间
地址
地址状态（ ADSC \\ ， ADSP \\ ）
地址前进（ ADV \\ ）
字节写使能（ BWA \\ -BWb \\ ， GW \\ ， BWE \\ ）
数据在
芯片使能（ CE \\ ）
保持时间
地址
地址状态（ ADSC \\ ， ADSP \\ ）
地址前进（ ADV \\ ）
字节写使能（ BWA \\ -BWb \\ ， GW \\ ， BWE \\ ）
数据在
芯片使能（ CE \\ ）
1.5
1.5
4.2
4.2
0
4.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3.0
3.0
5.0
5.0
0
5.0
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3.0
3.0
5.0
5.0
0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3
3, 4, 5
3, 4, 5
6
3, 4, 5
3, 4, 5
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.试验条件与图1中为3.3V的I / O中所示的输出负载指定（ VDDQ = + 3.3V， + 0.3V / -0.165V ），除非另有
指出。
2.测量高高在上V
IH
和LOW低于V
IL
.
3.该参数测量与图2中为3.3V的I / O中所示的输出负载。
4.该参数进行采样。
5.转变是从稳态电压测量± 500mV的。
6. OE \\是一个“不关心” ，当一个字节写使能采样到低电平。
7.一个读周期是按字节写入定义允许所有高或ADSP \\低的要求建立和保持时间。写周期
由至少一个字节定义写使能低和ADSP \\高的要求建立和保持时间。
8.这是一个同步装置。所有的地址必须符合规定的建立和保持时间CLK的所有上升沿时，无论ADSP \\或
ADSC \\是低和芯片使能。所有其他同步输入必须满足建立和保持稳定的逻辑电平时间为所有上升沿
时钟（CLK）时，该芯片被使能。芯片使能必须是有效的，在CLK的每个上升沿时，无论ADSP \\或ADSC \\低至
保持启用状态。
AS5SS256K18
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
7
