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SSRAM
奥斯汀半导体公司
AS5SS256K18
交错突发地址表（ MODE = NC或高）
第一个地址（外部）第二个地址（内部）第三个地址（内部）第四地址（内部）
X…X00
X…X01
X…X10
X…X11
X…X01
X…X00
X…X11
X…X10
X…X10
X…X11
X…X00
X…X01
X…X11
X…X10
X…X01
X…X00
线性突发地址表（ MODE = LOW ）
第一个地址（外部）第二个地址（内部）第三个地址（内部）第四地址（内部）
X…X00
X…X01
X…X10
X…X11
X…X01
X…X10
X…X11
X…X00
X…X10
X…X11
X…X00
X…X01
X…X11
X…X00
X…X01
X…X10
偏真值表写命令
功能
读
读
写字节"a"
写字节"b"
写的所有字节
写的所有字节
GW \\
H
H
H
H
H
L
BWE \\
H
L
L
L
L
X
BWA \\
X
H
L
H
L
X
BWB \\
X
H
H
L
L
X
注意：
使用BWE \\和BWA \\通过BWB \\ ，任何一个或多个字节可以是
写的。
功能框图
18
SA0 ， SA1 ， SA
模式
ADV \\
CLK
地址
注册
18
2
Q1
二进制
计数器
逻辑
Q0
CLR
SA0-SA1
SA1'
16
18
SA0'
ADSC \\
ADSP \\
BYTE "b"
写入驱动器
BWB \\
BYTE "b"
写注册
9
9
9
BWA \\
BWE \\
GW \\
CE \\
CE2
CE2\
OE \\
BYTE "a"
写注册
BYTE "a"
写入驱动器
9
256K ×9× 2
内存
ARRAY
18
SENSE
安培
18
产量
缓冲器
18
的DQ
DQPa
DQPb
18
启用
注册
2
输入
注册
注意：
该功能框图给出了简化设备操作。见真值表，引脚说明及时间
图的详细信息。
AS5SS256K18
2.0版本12/00
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