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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
64M PSRAM
项
符号
I
CC1
平均开工
当前
I
CC2
页面
测试条件
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS1 ＃ ≤0.2V ， LB ＃ ≤0.2V和/或UB ＃ ≤0.2V ，
CS2≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥VCC-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS1#=V
IL
， CS2 = V
IH
LB ＃ = V
IL
和/或UB ＃ = V
IL
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
循环Time≥t
RC
+3t
PC
, I
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS1#=V
IL
， CS2 = V
IH
LB ＃ = V
IL
和/或UB ＃ = V
IL
,
V
IN
-V
IH
或V
IL
其他输入= 0 -VCC
1. CS1 ＃
≥
V
CC
- 0.2 ， CS2
≥
V
CC
- 0.2V （ CS1 ＃
控制）或
2. 0V
≤
CS2
≤
0.2V （ CS2控制）
注意事项：
1.待机模式应该是设置在上电后的至少一个激活操作之后。 ISB1是60毫秒的措施后，
在待机模式下设置的时间。
最小典型最大单位
—
—
待定
mA
ASYNC
—
—
待定
mA
待定
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
（注1 ）
—
—
待定
mA
交流工作条件
测试条件（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（参见图23） ： CL = 50pF的
DOUT
C
L
图23.输出负载
注意：
包括范围和夹具电容。
2004年5月3日pSRAM_Type02_15A0
PSRAM类型2
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