位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1710页 > S75PL127JCEBFWU0 > S75PL127JCEBFWU0 PDF资料 > S75PL127JCEBFWU0 PDF资料1第169页
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
ACC特性（Ta = -40 ° C至85°C ，V
CC
= 2.7 3.1 V）
速箱
70ns
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
读
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
PC
t
PA
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
写
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
注意事项：
1. t
WP
（分钟） = 70ns的连续写操作超过50次。
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ＃ ， LB ＃访问时间
芯片选择低阻抗输出
UB ＃ ， LB ＃启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ＃ ， LB ＃关闭输出高阻态
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
页面周期时间
页面访问时间
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ＃ ， LB ＃有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
民
70
—
—
—
—
10
10
5
0
0
0
5
25
—
70
60
0
60
60
55 （注1 ）
0
0
30
0
5
最大
—
70
70
35
70
—
—
—
25
25
25
—
—
20
—
—
—
—
—
—
—
25
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
170
PSRAM类型2
pSRAM_Type02_15A0 2004年5月3日
