位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1710页 > S75PL127JCEBFWU0 > S75PL127JCEBFWU0 PDF资料 > S75PL127JCEBFWU0 PDF资料1第163页
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
PSRAM类型2
16MB （1MB字×16位）
32MB （2MB字×16位）
64MB （4MB字×16位）
特点
工艺技术： CMOS
组织： X16位
电源电压： 2.7 3.1V
三态输出
兼容低功耗SRAM
产品信息
密度
16Mb
16Mb
32Mb
32Mb
64Mb
64Mb
V
CC
范围
2.7-3.1V
2.7-3.1V
2.7-3.1V
2.7-3.1V
2.7-3.1V
2.7-3.1V
待机
（ ISB1 ，最大）
80 A
80 A
100 A
100 A
待定
待定
操作
（ ICC2 ，最大）
30毫安
35毫安
35毫安
40毫安
待定
待定
模式
双CS
双CS和页面模式
双CS
双CS和页面模式
双CS
双CS和页面模式
引脚说明
引脚名称
＃ CS1 ，CS2
OE ＃
WE＃
LB ＃ ， UB ＃
A0 - A19 （ 16M ）
A0 - A20 （ 32M ）
A0 - A21 （ 64M ）
I/O0-I/O15
V
CC
/V
CCQ
V
SS
/V
SSQ
NC
DNU
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
低/高字节使能
地址输入
数据输入/输出
电源
地
没有连接
不要使用
描述
I / O
I
I
I
I
I
I / O
—
—
—
—
164
PSRAM类型2
pSRAM_Type02_15A0 2004年5月3日
