初步
AC开关特性
参数
柏
参数
SRAM读周期
t
ACE
t
RC [8]
t
AA [9]
t
美国能源部
t
OHA [9]
t
LZCE [10]
t
HZCE [10]
t
LZOE [10]
t
HZOE [10]
t
聚氨酯[7]
t
PD [7]
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE [10 ， 11]
t
LZWE [10]
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
3
3
10
0
13
25
25
12
3
3
13
25
35
35
15
35
Alt键。
参数
描述
25 ns的部分
民
最大
35 ns的部分
民
最大
CY14B256L
45 ns的部分
民
最大
单位
45
45
45
20
3
3
15
0
15
0
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SRAM写周期
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置到开始写
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
3
25
20
20
10
0
20
0
0
10
3
35
25
25
12
0
25
0
0
13
3
45
30
30
15
0
30
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
8.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
9.设备不断选择CE和OE均为低。
10.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
文件编号： 001-06422修订版* E
第9页17
[+ ]反馈
