初步
自动存储/上电RECALL
参数
t
HRECALL [12]
t
店[ 13 ， 14 ]
V
开关
t
VCCRISE
描述
上电RECALL时间
STORE周期的持续时间
低电压触发电平
VCC上升时间
150
CY14B256L
民
最大
20
12.5
2.65
CY14B256L
单位
ms
ms
V
s
软件控制的存储/调用循环
[15, 16]
参数
t
RC
t
AS
t
CW
t
GHAX
t
召回
t
SS[17, 18]
描述
存储/调用初始化周期时间
地址建立时间
时钟脉冲宽度
地址保持时间
召回时间
软顺序处理时间
25 ns的部分
民
25
0
20
1
50
70
最大
35 ns的部分
民
35
0
25
1
50
70
最大
45 ns的部分
民
45
0
30
1
50
70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
五金店周期
参数
t
DELAY [19]
t
HLHX
描述
时间可以完成SRAM周期
五金店脉冲宽度
CY14B256L
民
1
15
最大
70
单位
s
ns
笔记
11.如果我们是低时， CE为低电平，输出保持在高阻抗状态。
12. t
HRECALL
开始从时间V
CC
上升超过V
开关。
13.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有店面发生。
14.工业级设备需要15 ms以下。
15.软件序列主频与CE控制或OE控制的读取。
16.六个连续的地址必须读在列出的顺序
表1 ，模式选择，第5页。
我们必须在所有六个连续的周期高。
17.这是花费的时间采取行动，在柔软的顺序指令的数量。 VCC电源必须保持高电平有效注册的命令。
18.这样的命令STORE和RECALL锁定IO ，直到操作完成，进一步增加了这个时候。查看具体的命令。
19.读写周期进行中HSB之前给出这段时间内完成。
文件编号： 001-06422修订版* E
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