初步
防止自动存储
通过启动一个自动存储禁用自动存储功能
禁用序列。读操作的顺序是
以类似于软件商店的方式执行initi-
通报BULLETIN 。要启动自动存储禁用序列中，
下面CE控制的读操作顺序必须
进行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x03F8自动存储禁用
通过启动一个自动存储允许重新启用自动存储
序列。在执行读操作的序列
以类似于软件RECALL引发。要启动
所述自动存储使能序列，将按照下列顺序
CE控制的读操作必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x07F0自动存储启用
如果自动存储功能被禁用或重新启用，手动
STORE操作（硬件或软件）必须发出
通过以后的掉电保存自动存储状态
周期。部分来自与自动存储工厂
启用。
CY14B256L
较低的平均有功功率
CMOS技术提供了CY14B256L的好处
绘制较少的电流，当它被循环在时间长于
50纳秒。
图2
显示我的关系
CC
和
读/写周期时间。最坏情况下的电流消耗
所示为商业级温度范围，V
CC
= 3.45V ，和
芯片启动时的最大频率。只有待机电流
当芯片被禁用绘制。整体的平均电流
由CY14B256L绘制依赖于以下项目：
芯片的占空比实现。
总的周期率的访问。
的读写比。
工作温度。
在V
CC
的水平。
IO负载。
图2.电流与周期时间
噪声考虑
该CY14B256L是高速存储器，所以必须有一个
约0.1μF高频旁路电容
连接V之间
CC
和V
SS
使用线索和痕迹
是尽可能地短。如同所有的高速CMOS集成电路，
小心路由功率，接地和信号降低电路
噪声。
文件编号： 001-06422修订版* E
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