初步
表1.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
L
A13 – A0
X
X
X
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x03F8
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x07F0
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0FC0
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0C63
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
IO
CY14B256L
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[1, 2, 3]
输出高阻
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高阻
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高阻
L
H
L
活跃
[1, 2, 3]
L
H
L
我主动
CC2[1, 2, 3]
L
H
L
活跃
[1, 2, 3]
笔记
1.六个连续的地址位置必须是在列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
2.虽然对所述CY14B256L 15条地址线，只有较低的14行被用于控制软件模式。
3. IO状态取决于OE的状态。所示的IO表假设OE低。
文件编号： 001-06422修订版* E
第17页5
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