位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第183页 > FGA15N120ANTD > FGA15N120ANTD PDF资料 > FGA15N120ANTD PDF资料1第7页
FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT
典型性能特性
图17.正向特性
50
（续）
图18.反向恢复电流
30
的di / dt = 200A /
μ
s
正向电流，I
F
[A]
10
反向恢复Currnet ，我
rr
[A]
25
20
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
o
o
15
的di / dt = 100A /
μ
s
1
10
T
C
= 125 C
T
C
= 25 C
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
o
o
5
0
5
10
15
20
25
正向电压，V
F
[V]
正向电流，I
F
[A]
图19.存储电荷
7000
图20.反向恢复时间
400
存储恢复电荷，Q
rr
[ NC ]
反向恢复时间，t
rr
[ NS ]
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
5
10
15
20
25
的di / dt = 200A /
μ
s
300
的di / dt = 100A /
μ
s
的di / dt = 100A /
μ
s
200
的di / dt = 200A /
μ
s
100
0
5
10
15
20
25
正向电流，I
F
[A]
正向电流，I
F
[A]
FGA15N120ANTD牧师A1
7
www.fairchildsemi.com
