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FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT
典型性能特性
图7.打开，在性能与门
阻力
100
（续）
图8.关断特性与门
阻力
1000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 15A
T
C
= 25 C
o
TD （关闭）
tr
开关时间[ NS ]
10
TD （上）
开关时间[ NS ]
T
C
= 125 C
o
100
tf
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 15A
T
C
= 25 C
1
0
10
20
30
40
T
C
= 125 C
50
60
70
o
o
10
0
10
20
30
40
50
60
70
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
图9.开关损耗与栅极电阻
图10.导通特性上与
集电极电流
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
Ω
100
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
tr
o
o
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 15A
10
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
宙
o
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
o
TD （上）
10
EOFF
1
0
10
20
30
40
50
60
70
10
15
20
25
30
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
集电极电流，I
C
[A]
图11.关断特性对比
集电极电流
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
Ω
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
图12.开关损耗与集电极电流
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
Ω
10
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
TD （关闭）
宙
100
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
EOFF
1
tf
10
10
15
20
25
30
0.1
5
10
15
20
25
30
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
FGA15N120ANTD牧师A1
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