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FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT
2006年5月
FGA15N120ANTD
1200V NPT沟道IGBT
特点
NPT沟道技术，正温度系数
低饱和电压： V
CE （SAT） ，典型值
= 1.9V
@ I
C
= 15A和T
C
= 25°C
低开关损耗：电子
关，典型值
= 0.6mJ
@ I
C
= 15A和T
C
= 25°C
增强的极雪崩能力
tm
描述
采用飞兆半导体专有的沟槽设计和先进的NPT
技术， 1200V NPT IGBT提供卓越的传导
和开关性能，高雪崩坚固性和
简单的并行操作。
该装置很适合于谐振或软开关应用程序
阳离子，例如感应加热，微波，等等。
C
G
克碳ê
TO-3P
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
（注1 ）
描述
集电极 - 发射极电压
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGA15N120ANTD
1200
±
20
30
15
45
15
45
186
74
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳的IGBT
热阻，结到外壳的二极管
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.67
2.88
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2006仙童半导体公司
1
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FGA15N120ANTD牧师A1
