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FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
200
T
C
= 25 C
o
图2.典型的饱和电压
特征
150
共发射极
V
GE
= 15V
o
20V
17V
15V
集电极电流，I
C
[A]
12V
集电极电流，I
C
[A]
150
120
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
100
V
GE
= 10V
90
60
50
30
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.0
共发射极
V
GE
= 15V
I
C
= 24A
2.5
图4.饱和电压与V
GE
共发射极
o
T
C
= 25 C
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
12
I
C
= 15A
8
2.0
4
24A
I
C
= 7.5A
0
4
8
15A
1.5
25
50
75
100
o
0
125
150
12
16
20
外壳温度，T
C
[ C]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
16
共发射极
o
T
C
= 125 C
图6.电容特性
3500
3000
2500
西塞
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
电容[ pF的]
12
2000
1500
1000
500
0
科斯
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
8
4
24A
15A
CRSS
0
0
4
I
C
= 7.5A
8
12
16
20
0.1
1
10
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
FGA15N120ANTD牧师A1
4
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