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FGA15N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT
典型性能特性
图13.栅极电荷特性
15
共发射极
R
L
= 40
Ω
T
C
= 25 C
600V
9
400V
o
（续）
图14. SOA特征
10 0
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
12
IC M A X（ P ü LSE四）
50
μ
s
IC M A X （C O 4 N TINU 我们）
1 00
μ
s
1米s
集电极电流IC [ A]
10
D C O·P RA TIO N
1
6
VCC = 200V
3
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
0 .0 1
0.1
在重新P etitive S IN克了N
o
P ü LSE T C = 25°C
urves米U ST Bé日流量d
林EA RLY瓦特第i个间隔单位酶
在TE米PE重新拉图
1
10
10 0
10 00
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
C 0 LLE C到的R - ê米itte诉 LTA克E， V
权证
[V ]
图15.开启，关闭的SOA
100
集电极电流，I
C
[A]
10
1
10
安全工作区
o
V
GE
= 15V ，T
C
= 125 C
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
IGBT图16.瞬态热阻抗
10
热响应[ Zthjc ]
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
单脉冲
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
FGA15N120ANTD牧师A1
6
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