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16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162G / SST34HF164G
初步规格
表3 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
功能
提供flash地址，A
19
-A
0
.
提供SRAM地址，
MSS
-A
0
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在闪存擦除/编程周期内锁定。
输出处于三态时， OE ＃ ， BES ＃和BEF ＃高。
要激活闪存库时BEF ＃低
要激活SRAM存储器组时， BES ＃低
到栅极上的数据输出缓冲器
要控制写操作
为了使DQ
15
-DQ
8
为了使DQ
7
-DQ
0
为了保护和取消保护底部8K字（ 4个扇区）
从擦除或编程操作
要重置并返回该设备阅读模式
2.7-3.3V电源
2.7-3.3V电源闪存只
2.7-3.3V电源为SRAM只
未连接引脚
T3.0 1276
A
MSS1
到A
0
地址输入
DQ
15
-DQ
0
数据输入/输出
BEF ＃
BES ＃
OE ＃
WE＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
WP ＃
RST ＃
V
SS
闪存银行启用
SRAM记忆库启用
OUTPUT ENABLE
写使能
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
写保护
RESET
地
电源
2
电源供应器（闪存）
电源供应器（ SRAM ）
无连接
V
DD
V
DD
F
V
DD
S
NC
1. A
MSS
=最显著地址
A
MSS
= A
16
对于SST34HF162G和A
17
对于SST34HF164G
仅2 L3K包
2004硅存储技术公司
S71276-00-000
11/04
9
