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16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162G / SST34HF164G
初步规格
AC特性
表10： SRAM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RCS
T
AAS
T
BES
T
OES
T
再见
T
BLZS
1
参数
读周期时间
地址访问时间
银行启用访问时间
输出启用访问时间
瑞银＃ ， LBS ＃访问时间
BES ＃至输出有效
输出使能到输出有效
瑞银＃ ，LBS ＃到有源输出
BES ＃到输出高阻态
输出禁止到高阻输出
瑞银＃ ，LBS ＃到输出高阻态
从地址变更输出保持
民
70
最大
70
70
35
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
0
25
25
35
10
T
OLZS1
T
BYLZS1
T
BHZS1
T
OHZS1
T
BYHZS1
T
OHS
ns
ns
ns
ns
T10.0 1276
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11： SRAM W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
WCS
T
BWS
T
AWS
T
ASTS
T
WPS
T
WRS
T
BYWS
T
ODWS
T
OEWS
T
DSS
T
美国国土安全部
参数
写周期时间
银行启用到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
瑞银＃ ，LBS ＃到结束时的写
输出禁止从WE＃低
输出WE＃高开启
数据建立时间
从时间写数据保持
0
30
0
民
70
60
60
0
60
0
60
30
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T11.0 1276
2004硅存储技术公司
S71276-00-000
11/04
14
