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16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162G / SST34HF164G
初步规格
表6 ： DC
操作摄像机
C
极特
(V
DD
= V
DDF
和
V
DDS
= 2.7-3.3V)
范围
符号
I
DD1
参数
积极V
DD
当前
读
FL灰
SRAM
并发操作
写
2
FL灰
SRAM
I
SB
I
RT
I
LI
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
待机V
DD
当前
RESET
V
DD
当前
3
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入低电压（ CMOS ）
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
2.2
0.7
V
DD
40
30
30
30
1
10
0.8
0.3
mA
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
0.2
V
V
0.4
V
V
15
10
45
mA
mA
mA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
在f = 5MHz时，
V
DD
=V
DD
马克斯，所有的DQ打开
OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IL
， BES ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
WE＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IL
， BES ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
V
DD
= V
DD
马克斯， BEF ＃ = BES ＃ = V
IHC
RST ＃ = GND
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
IOL = 1毫安， V
DD
=V
DD
民
IOH = -500 μA ，V
DD
=V
DD
民
T6.0 1276
V
DD
-0.3
V
DD
-0.2
1.参见图19
2. I
DD
同时积极擦除或编程正在进行中。
只有3 L3K包
2004硅存储技术公司
S71276-00-000
11/04
12
