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16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162G / SST34HF164G
SST34HF162G / 164G16Mb双组闪存+ 2/4 Mb的SRAM MCP ComboMemory
初步规格
产品特点：
闪光灯组织： 1M X16
- 16兆位： 12兆位+ 4兆位
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
SRAM组织：
- 2兆比特： 128K X16
- 4兆位： 256K X16
单2.7-3.3V读写操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（典型值@ 5 MHz的）
- 工作电流：是Flash 10 mA（典型值）
SRAM 6毫安（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
硬件扇区保护（ WP ＃ ）
- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在
通过举办WP ＃低，取消保护大型银行
通过举办WP ＃高
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数据数组
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
读取时间
- 闪光： 70纳秒
- SRAM ： 70纳秒
擦除暂停/擦除恢复功能
锁存地址和数据
快速擦除和字编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 计划时间： 7微秒
自动写时序
=内部
V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 48球LFBGA （ 6× 8毫米）
- 48球LBGA （10毫米x 12毫米）
- 无铅（无铅）封装提供
产品说明
该SST34HF16xG ComboMemory器件集成了
无论是与128K X16或X16 100万CMOS闪存库
在一个多芯片256K x16的CMOS SRAM中存储体
封装（MCP ） 。这些器件采用不锈钢制造的
专有的，高性能的CMOS超快闪技
术结合了分裂栅单元设计和厚氧化层
隧道喷油器获得更好的可靠性和制造
能力与其他方法相比。该
SST34HF16xG设备应用的理想选择，如
蜂窝电话， GPS设备，PDA和其它便携式
电子设备处于低功率和小尺寸的系
统。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。该SST34HF16xG器件提供了瓜拉尼
开球10000次耐力。数据保留的额定功率为
超过100年以上。凭借高性能的程序
2004硅存储技术公司
S71276-00-000
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操作，闪速存储器组提供一个典型的亲
克时间为7微秒。整个闪存银行可以
擦除和编程的字的字在4秒（典型
美云）为SST34HF16xG ，使用界面功能时，
如翻转位或数据＃投票指示完井
程序化操作。为了防止意外
闪存的写入，将SST34HF16xG器件包含片上
硬件和软件数据保护方案。
闪存和SRAM作为两个独立的内存
银行与各银行的使能信号。内存
银行的选择是由两个银行的使能信号完成的。该
SRAM存储器使能信号， BES ＃ ，选择SRAM银行。
闪速存储器组使能信号， BEF ＃ ，必须
与软件数据保护（ SDP ）命令中使用
顺序控制擦除和编程操作时，
系统蒸发散在闪速存储器区块。存储银行
叠加在相同的存储器地址空间，其中
他们有着共同的地址线，数据线， WE ＃和
OE ＃这最大限度地降低功耗和面积。看
图1为内存的组织。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
ComboMemory是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
