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16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162G / SST34HF164G
初步规格
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
手术
标准
节目
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
抹去
暂停
部门/
块
从阅读
非擦除
暂停
部门/
块
节目
DQ
7
DQ7#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
硬件复位（ RST ＃ ） - L3K只
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式（参见图18） 。如果没有内部
编程/擦除操作过程中，一个最小周期
的t
RHR
后RST ＃之前需要一个有效的驱动为高电平
阅读可以发生（参见图17） 。
已中断的擦除操作必须是
该设备后，重新开始恢复正常工作模式
以确保数据的完整性。参见图17和图18为计时
图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST34HF16xG提供JEDEC标准软件
数据保护计划的所有数据修改操作，
即，编程和擦除。任何程序运行需要
包含一个3字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节
序列。该SST34HF16xG附带的软
洁具数据保护永久启用。参见表5所示
具体的软件命令代码。在SDP的COM
命令序列，无效命令会中止器件
T内阅读模式
RC 。
DQ的内容
15
-DQ
8
是
在任何SDP命令序列“不关心” 。
数据
数据
数据
DQ7#
切换
无切换
T1.0 1276
注意：
DQ
7,
DQ
6,
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
数据保护
该SST34HF16xG同时提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
硬件块保护
该SST34HF16xG提供硬件块保护
它保护的最外层8K字在银行1块
当WP ＃为低保护。参见图1块 -
保护位置。
用户可以通过驱动WP ＃高禁用块保护
因此允许擦除或数据的程序进入保护
部门。 WP ＃之前，必须发出写高举
指挥和保持稳定，直到整个写入后
操作已完成。
2004硅存储技术公司
S71276-00-000
11/04
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