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HYB 39S16400 / 800 / 160AT - 8 / -10
16兆位同步DRAM
AC特性
8, 9
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1纳秒
参数
符号
-8
分钟。
时钟和时钟使能
时钟周期时间
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
系统频率
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
时钟存取时间
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
时钟高电平脉冲宽度
时钟低脉冲宽度
转换时间（上升和下降）
建立和保持时间
命令设置时间
地址建立时间
数据建立时间
CKE建立时间
CKE建立时间（省电模式）
CKE建立时间（自刷新退出）
命令保持时间
地址保持时间
数据保持时间
CKE保持时间
马克斯。
分钟。
限值
-10
马克斯。
单位
记
t
CK
8
12
24
–
–
–
125
83
41
7
8
21
–
–
30
10
15
30
–
–
–
–
–
–
3.5
3.5
1
–
–
–
100
66
33
8
9
27
–
–
30
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
t
CK
–
–
–
t
AC
–
–
–
t
CH
t
CL
t
T
3
3
1
t
CS
t
AS
t
DS
t
中正
t
CKSP
t
CKSR
t
CH
t
AH
t
DH
t
长实
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
8
1
1
1
1
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
3
3
3
3
3
8
1
1
1
1
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11
11
11
11
11
11
11
半导体集团
16
1998-10-01
