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HYB 39S16400 / 800 / 160AT - 8 / -10
16兆位同步DRAM
笔记
1.所有电压参考
V
SS
.
2.
V
IH
可能要过冲
V
CC
+ 2.0 V为< 4纳秒3.3 V.脉冲宽度
V
IL
可能下冲来
- 2.0 V脉冲宽度< 4.0 ns的3.3 V.脉冲宽度在50 %点测幅
测量峰值直流参考。
3.在所有条件
V
DDQ
必须小于或等于
V
DD
.
4.所述的值
V
REF
可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。
V
REF
必须在0.43之间的范围内
×
V
DDQ
和0.47
×
V
DDQ
并且预计到跟踪
变化
V
DDQ
.
5.
V
IH
可能要过冲
V
DD
,
V
DDQ
+ 1.2V的脉冲宽度< 5纳秒和
V
IL
可能下冲来
V
SS
,
V
SSQ
- 1.2 V脉冲宽度< 5纳秒。
6.指定的值有效时,地址过程中改变不超过3倍
t
RC (分钟)
当无操作命令时登记在每一个时钟上升沿
t
RC (分钟)
.
7.指定值时,在数据输入( DQ的)是稳定有效
t
RC (分钟)
.
200 8.初始暂停
s
上电后是必需的,那么预充电所有银行的命令
必须给予后跟8自动刷新( CBR )周期的模式寄存器设置之前,
操作就可以开始。
9. AC时序测试LV- TTL的版本有
V
IL
= 0.4 V和
V
IH
= 2.4 V与定时参考
到1.4 V交叉点。的过渡时间之间测量
V
IH
V
IL
。所有AC
测试假设
t
T
= 1纳秒,在下面图中所示的AC输出端的负载电路。
10.如果时钟上升时间大于1纳秒, (
t
T
/ 2 - 0.5) ns的已被添加到该参数。
11.如果
t
T
长于1纳秒,时间(
t
T
- 1) ns的已被添加到该参数。
12.任何时间刷新周期已经超过,至少有两个自动( CBR )刷新
命令必须赋予给“唤醒”的设备。
13.自刷新退出是同步操作和之后开始的第二时钟上升沿
CKE返回高。自刷新退出才结束的时间段等于
t
RC
是SATIS网络版
一旦自刷新Exit命令注册。
14.引用到的输出达到开路状态,不输出时刻
电压电平。
半导体集团
18
1998-10-01

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