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HYB 39S16400 / 800 / 160AT - 8 / -10
16兆位同步DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ......................................... 0至+ 70
°C
存储温度范围............................................... ...................................... - 55 + 150
°C
输入/输出电压.............................................. ............................ - 0.5分钟（
V
CC
+ 0.5, 4.6) V
电源电压
V
DD
/
V
DDQ
.................................................. ........................... - 1.0 + 4.6 V
功耗....................................................................................................................... 1 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注：超出上述上市
“
绝对最大额定值
”
可能会造成永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作及特点LV- TTL版本
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 2.0 mA）的
输出低电压（
I
OUT
= 2.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
V
DDQ
所有其它输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
)
电容
T
A
= 0至70
°C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
输入电容（A0至A11）的
输入电容（ RAS ， CAS ， WE ， CS ， CLK ， CKE ， DQM ）
输出电容（ DQ ）
符号最大值。值
单位
pF
pF
pF
pF
符号
分钟。
限值
马克斯。
2.0
– 0.3
2.4
–
– 10
– 10
单位注
V
V
V
V
A
A
1, 2
1, 2
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
10
10
C
I1
C
I2
C
IO
C
REF
4
4
5
8
V
REF
半导体集团
14
1998-10-01
