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HYB 39S16400 / 800 / 160AT - 8 / -10
16兆位同步DRAM
DQM功能
DQM有两个功能用于数据I / O读或写操作。在读操作期间，当它变成高在
时钟定时，数据输出被禁止，并成为高阻抗后两个时钟延迟（ DQM
数据禁用延迟
t
DQZ
） 。它还提供了一个数据屏蔽功能写入。当DQM被激活时，
禁止在下一时钟的写操作（ DQM的写屏蔽延迟
t
DQW
=零时钟） 。
挂起模式
在正常的存取模式中， CKE处于高电平和CLK被启用。当CKE是低电平时，冻结
内部时钟和延伸数据读取和写入操作。一个时钟延迟所需的模式
出入境（时钟暂停延迟
t
CSL
).
掉电
为了降低待机功耗，省电模式是可用的。使CKE低
进入省电模式，接收器的所有电路被选通。所有银行都必须预充电
在进入此模式。一个时钟的延迟需要模式的进入和退出。掉电
模式并不执行任何刷新操作。
自动预充电
有两种方法可用于预充电的SDRAM 。在自动预充电模式，中科院
定时接受一个额外的地址， CA10 ，以确定芯片是否经过了恢复或不
操作。如果CA10为高电平时读命令发出后，阅读与自动预充电功能
被启动。 SDRAM的读取之后将自动进入预充电操作一个时钟
命令被注册了1个和2 CAS等待时间，和两个时钟为3. CAS等待时间如果
CAS10是高发写命令时，使用自动预充电功能，写入启动。
SDRAM的自动进入预充操作的一个时钟延迟形式的最后一个数据项对
的12和两个时钟CAS等待时间为3， CAS延迟该延迟被引用为
t
DPL
.
预充电命令
如果CA10是低时，芯片需要另一种方法来进行预充电。在这种模式下，一个单独的预充电
命令是必要的。当RAS和WE低， CAS是在高时钟计时，它触发
预充电操作。两个地址位，A10和A11 ，用于定义银行所示的
下面的列表。预充电命令可以施加一致的最后的脉冲串读出对
CAS延迟= 1 ，并与所述第二对为CAS潜伏期= 2 & 3.写操作的最后读出的数据
需要时间
t
DPL
从最后的数据突发应用预充电命令。
半导体集团
12
1998-10-01
