DDR SDRAM

(Rev.1.44)

三月'02

注（续） ：

三菱的LSI

M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10

M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10

256M双数据速率同步DRAM

20. IDD7 ：工作电流的条件下测量

（1） 。四银行正在交错的tRC （分钟） ，连拍模式，在NOP边缘地址和控制输入

不changing.Iout = 0毫安

（2） .Timing模式

-DDR200 （-10） （ 100MHz时，CL = 2） ： TCK = 10ns的，CL = 2， BL = 4， TRRD = 2 * TCK， tRCD的= 3 * TCK，

阅读Autoprecharge

设置： A0 A1 A2 R0 R1 R2 A3

阅读： R3 A0 A1 A2 R0 ，R1 A3 R2 -repeat相同的定时与随机地址变更

数据在每个传输变化的50％

-DDR266B （-75 ）（为133MHz ，CL = 2.5） ： TCK = 7.5ns ， CL = 2.5 ，BL = 4， TRRD = 2 * TCK， tRCD的= 3 * TCK，

阅读Autoprecharge

设置： A0 A1 R0 ，R1 A2 A3 R2 R3

阅读： A0 A1 A2 R0 R1 R2 A3 R3 -repeat相同的定时与随机地址变更

数据在每个传输变化的50％

-DDR266A （ -75A ）（为133MHz ，CL = 2） ： TCK = 7.5ns ，CL = 2， BL = 4， TRRD = 2 * TCK， tRCD的= 3 * TCK，

阅读Autoprecharge

设置： A0 A1 R0 ，R1 A2 A3 R2 R3

阅读： A0 A1 A2 R0 R1 R2 A3 R3 -repeat相同的定时与随机地址变更

数据在每个传输变化的50％

*注： A =激活，R =读， P =预充电， N = NOP

21.低功耗版本（ -75AL / -75L / -10L ）

三菱电机

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