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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
256M双数据速率同步DRAM
绝对最大额定值
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25
o
C
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
评级
-0.5 ~ 3.7
-0.5 ~ 3.7
-0.5 VDD + 0.5
-0.5 VDDQ + 0.5
50
1000
0 ~ 70
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
mA
mW
o
o
C
C
直流工作条件
（大= 0 70
o
C，除非另有说明）
符号
VDD
VDDQ
VREF
VIH （DC）的
VIL （DC）的
输入电压（DC）的
VID （DC）的
VTT
分钟。
典型值。
马克斯。
电源电压
2.3
2.5
2.7
电源电压输出
2.3
2.5
2.7
输入参考电压
0.49 * 0.50 VDDQ VDDQ * 0.51 * VDDQ
高电平输入电压
VREF + 0.15
VDDQ+0.3
低电平输入电压
-0.3
VREF - 0.15
输入电压电平， CLK和/ CLK
-0.3
VDDQ + 0.3
输入差分电压， CLK和/ CLK
0.36
VDDQ + 0.6
I / O终端电压
VREF - 0.04
VREF + 0.04
参数
范围
单位注
V
V
V
V
V
V
V
V
5
7
6
AC过冲/下冲规格
参数
允许的最大过冲峰值
允许的最大冲峰值
过冲信号和VDD之间的区域必须小于或euqal到
下冲信号和VSS之间的面积必须小于或euqal到
5
4
3
2
1
VSS(0)
-1
-2
-3
冲
最大振幅
VDD
区（ max.4.5V -NS ）
规范
1.6V
1.6V
4.5 V -NS
4.5 V -NS
伏特（ V）
冲
最大振幅
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
5.625
时间（纳秒）
三菱电机
18
