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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
256M双数据速率同步DRAM
上电顺序
在序列下面的电源是必要的，以保证在正常操作
DDR SDRAM 。
1.之前或同时为VDDQ应用的VDD
2.之前或同时为VTT & Vref的应用VDDQ
3.保持稳定的电力和CLK后稳定条件200us的应用，断言NOP或DSEL
该设备的所有银行4.发出预充电命令
5.发行EMRS编程应有的作用
6.发行MRS配置模式寄存器和复位DLL
7.第2期以上的自动刷新命令
8.维护200周期稳定的条件
这些序列后， DDR SDRAM处于空闲状态，并可以正常运行。
模式寄存器
突发长度，突发类型和/ CAS延迟可以通过编程
配置模式寄存器（ MRS） 。该模式寄存器存储这些数据
直到下一个MRS命令，其可以被发出时既银行在
空闲状态。超过tMRD从MRS指令后， DDR SDRAM准备
接受新的命令。
CLK
/ CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA1 BA0 A12 A11 A10 A9 A8
0
0
0
0
0
0
DR
A7
0
A6
A5
A4
A3
BT
A2
A1
BL
A0
BA0
BA1
LTMODE
A11-A0
V
潜伏期
模式
CL
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
/ CAS延时
R
R
2
R
R
R
2.5
R
NO
是的
BURST
长
BL
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
BT=0
R
2
4
8
R
R
R
R
BT=1
R
2
4
8
R
R
R
R
突发类型
复位DLL
0
1
0
1
顺序
交错
R：保留供以后使用
三菱电机
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